FDW252P
1个P沟道 耐压:20V 电流:8.8A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW252P
- 商品编号
- C3291391
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.045nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 549pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道1.8V特定MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别定制，可将导通电阻降至最低，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- 4.5 A，-20 V。VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 47 mΩ
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 65 mΩ
- VGS = -1.8 V时，RDS(ON) = 100 mΩ
- RDS(ON)额定值适用于1.8 V逻辑
- 低栅极电荷（典型值为13 nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP-8封装
应用领域
- 电源管理
- 负载开关