SI6955DQ
2个P沟道 耐压:30V 电流:2.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6955DQ
- 商品编号
- C3291392
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 298pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态的电池供电电路。
商品特性
- 在VGS = - 4.5 V时,RDS(ON) = 190 mΩ
- -2.5 A、-30 V,在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 85 mΩ
- 扩展的VGSS范围(± 20V),适用于电池应用
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- DC/DC转换
- 电源管理