UPA1873GR-9JG-E1-A
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1873GR-9JG-E1-A
- 商品编号
- C3291390
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1.0mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 705pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款指定 1.8V 的 P 沟道 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -10 A、-20 V。在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 11 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 14 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V 时，RDS(ON) = 20 mΩ
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 电源管理-负载开关-电池保护
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