FDW2509NZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW2509NZ
- 商品编号
- C3291384
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.263nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 179pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 327pF |
商品特性
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 26 mΩ
- 7.1A、20V,在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 20 mΩ
- 扩展VGSS范围(±12V),适用于电池应用
- 静电放电(ESD)保护二极管
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
-锂离子电池组