UPA1803GR-9JG-E1-A
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1803GR-9JG-E1-A
- 商品编号
- C3291385
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 214pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 571pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用超小型 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
办公设备
应用领域
-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防犯罪系统-安全设备-非专门用于生命维持的医疗设备