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SQM40P10-40L_GE3实物图
  • SQM40P10-40L_GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQM40P10-40L_GE3

1个P沟道 耐压:100V 电流:40A

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描述
特性:TrenchFET Power MOSFET。封装热阻低。100%进行Rg和UIS测试。通过AEC-Q101认证
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQM40P10-40L_GE3
商品编号
C3291125
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)134nC@10V
输入电容(Ciss)5.295nF
反向传输电容(Crss)270pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)395pF

商品特性

  • 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低穿越平台电压(Vplateau)时的功率损耗
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理-或门(OR-ing)/电子保险丝(e-fuse)

数据手册PDF