2SK3812-ZP-E1-AZ
1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3812-ZP-E1-AZ
- 商品编号
- C3291142
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 213W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品特性
- 国际标准封装
- 低栅极电荷（QG）
- 雪崩额定值
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- DC-DC 转换器
- 开关模式和谐振模式电源
- 交流和直流电机驱动器
- 激光驱动器
- 机器人技术和伺服控制
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