NP89N06PDK-E1-AY
1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP89N06PDK-E1-AY
- 商品编号
- C3291143
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。这款超结 MOSFET 满足行业对功率因数校正 (PFC)、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC 开关电源 (SMPS) 要求。
商品特性
- 极低的导通电阻
- RDS(on)1最大为5.3 mΩ(VGS = 10 V,ID = 45 A)
- 低输入电容:典型值Ciss = 4000 pF(VDS = 25 V)
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
应用领域
- 汽车领域