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NP89N06PDK-E1-AY实物图
  • NP89N06PDK-E1-AY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NP89N06PDK-E1-AY

1个N沟道 耐压:60V 电流:90A

商品型号
NP89N06PDK-E1-AY
商品编号
C3291143
商品封装
TO-263-3​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))5.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)147W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)95nC@10V
输入电容(Ciss)6nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)540pF

商品概述

该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。这款超结 MOSFET 满足行业对功率因数校正 (PFC)、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC 开关电源 (SMPS) 要求。

商品特性

  • 适用于高压器件的新技术
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 100% 雪崩测试
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 功率因数校正 (PFC)
  • 开关电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)

数据手册PDF