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G2R120MT33J
G2R120MT33J
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- 描述
- 特性：G3R™技术 +15 V栅极驱动。 卓越的QG × RDS(ON)品质因数。 低栅极电荷和低电容。 RDS(ON)的软温度依赖性。 卓越的雪崩和短路耐用性。 快速可靠的体二极管。 低电感优化封装
- 商品型号
- G2R120MT33J
- 商品编号
- C3291148
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 3.3kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - |