温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTA32P05T
1个P沟道 耐压:50V 电流:32A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：国际标准封装。 雪崩额定。 扩展的正向偏置安全工作区（FBSOA）。 快速本征二极管。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 易于安装。应用：高端开关。 推挽放大器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTA32P05T
- 商品编号
- C3291170
- 商品封装
- TO-263AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
RM20N60LD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源