FDB603AL
1个N沟道 耐压:30V 电流:33A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB603AL
- 商品编号
- C3291193
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
商品特性
- 针对高开关频率 DC/DC 转换器进行优化
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 超薄封装（<0.7 mm）
- 双面散热
- 低寄生电感
- 100% 雪崩测试
- 适用于消费级应用
- 与 DirectFET 封装 SQ 焊盘和外形兼容
- 无铅电镀；符合 RoHS 标准