FDB603AL
1个N沟道 耐压:30V 电流:33A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB603AL
- 商品编号
- C3291193
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
商品特性
- 33 A,30 V。在 V\textGS = 10 \text V 时,R\textDS(ON) = 0.022 Ω;在 V\textGS = 4.5 \text V 时,R\textDS(ON) = 0.036 Ω。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高密度单元设计,实现极低的 \mathsfRDS(ON)
- 最高结温额定值为175°C。