FDB6670S
1个N沟道 耐压:30V 电流:62A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB6670S
- 商品编号
- C3291194
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条状DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
商品特性
- 35.6A、80V，栅源电压VGS = 10V时，漏源导通电阻RDS(on) = 0.034Ω
- 低栅极电荷（典型值38 nC）
- 低反向传输电容Crss（典型值90 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-汽车-DC/DC转换器的高效开关-直流电机控制