NDH8321C
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.8A 电流:2.7A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDH8321C
- 商品编号
- C3291370
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF；865pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这些双 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计,可将导通电阻降至最低,并提供出色的开关性能。这些器件特别适用于低压应用,如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- N 沟道:3.8 A、20 V,VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 0.035 Ω
- VGS = 2.7 V 时,RDS(ON) = 0.045 Ω
- P 沟道:-2.7 A、-20 V,VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 0.07 Ω
- VGS = -2.7 V 时,RDS(ON) = 0.095 Ω
- 采用铜引脚框架的专有 SuperSOT-8 封装设计,具备出色的热性能和电气性能
- 高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路