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DMN10H220LVT-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.24A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H220LVT-7
- 商品编号
- C3291372
- 商品封装
- TSOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 172mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 401pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 沟槽型场效应功率 MOSFET
- 通过 AEC-Q101 认证
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 和非钳位感性开关 (UIS) 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
- P 沟道 MOSFET