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DMP2067LVT-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 的设计旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2067LVT-7
- 商品编号
- C3291371
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.575nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS 2.0标准且无卤
商品特性
-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能