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FDB7030BL
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB7030BL
- 商品编号
- C3291198
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围，结温Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 > 2 kV HBM（H2类）
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路