NDH8521C
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:2.7A 电流:3.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDH8521C
- 商品编号
- C3291367
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- N沟道 3.8 A、30 V,VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.033 Ω
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.05 Ω
- P沟道 -2.7 A、-30 V,VGS = -10 V时,RDS(ON) = 0.07 Ω
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.115 Ω
- 采用铜引脚框架的专有SuperSOT - 8封装设计,具备卓越的热性能和电气性能。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路