FQNL1N50BBU
1个N沟道 耐压:500V 电流:270mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQNL1N50BBU
- 商品编号
- C3291317
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅 - 源保护二极管
- 小型表面贴装封装（TSMT3）
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 通过 AEC - Q101 认证
应用领域
- 开关应用