IPT65R190CFD7XTMA1
1个N沟道 耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT65R190CFD7XTMA1
- 商品编号
- C3291320
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
最新的650 V CoolMOSTM CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品,是650 V CoolMOSTM CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能,650 V CoolMOSTM CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中具备最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性融为一体。CoolMOSTM CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
商品特性
- 超快体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(on)
- 降低开关损耗
- RDS(on)随温度变化小
应用领域
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 —— 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能