IPT65R190CFD7XTMA1
1个N沟道 耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT65R190CFD7XTMA1
- 商品编号
- C3291320
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 超快体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(on)
- 降低开关损耗
- RDS(on)随温度变化小
应用领域
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 —— 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能