QH8M22TCR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:4.5A 电流:2A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QH8M22TCR
- 商品编号
- C3291341
- 商品封装
- TSMT-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A；2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V,4.5A；190mΩ@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@10V；9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@20V；193pF@20V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源。
商品特性
- 5.2A、900V，VGS = 10V时，RDS(on) = 1.55Ω
- 低栅极电荷（典型值45nC）
- 低Crss（典型值20pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力