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AOTS21311C
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.9A
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- 描述
- Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS 2.0和无卤要求
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTS21311C
- 商品编号
- C3291361
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.050667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 该器件非常适合用作负载开关
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