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SI3440DV-T1-E3
1个N沟道 耐压:150V 电流:1.2A
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- 描述
- 特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 针对小尺寸封装中的快速开关进行 PWM 优化。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：低功率 DC/DC 转换器的初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3440DV-T1-E3
- 商品编号
- C3291362
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 375mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 针对 PWM 优化
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
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