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PMN40SNAX

1个N沟道耐压:60V 电流:4.7A

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描述: N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用 Trench MOSFET 技术，采用小型 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PMN40SNAX
商品编号: C3291354
商品封装: SC-74(TSOP-6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.096克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一员，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优点以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

开关速度极快
扩展温度范围Tj = 175°C
沟槽MOSFET技术
通过AEC - Q101认证

应用领域

-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	4.7A
	导通电阻(RDS(on))	36mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	7.5W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	14nC@10V
	输入电容(Ciss)	453pF
	反向传输电容(Crss)	42pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	62pF