PMN37ENEX
1个N沟道 耐压:60V 电流:3.6A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN37ENEX
- 商品编号
- C3291358
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源。
商品特性
- 10A、600V，栅源电压（VGS）为10V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.73Ω
- 低栅极电荷（典型值44nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值18pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
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