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AO6403实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO6403

1个P沟道 耐压:30V 电流:6A

描述
AO6403采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和极低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌名称
AOS
商品型号
AO6403
商品编号
C3291360
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.049克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V,6A
属性参数值
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.85V@250uA
栅极电荷量(Qg)18.5nC@10V
输入电容(Ciss)920pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货251-253个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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