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AO6403
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- AO6403采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和极低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO6403
- 商品编号
- C3291360
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.85V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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