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SI3129DV-T1-GE3
1个P沟道 耐压:80V 电流:5.4A
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- 描述
- 特性：沟槽式FET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。应用：便携式和消费类产品的电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3129DV-T1-GE3
- 商品编号
- C3291355
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 124.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 805pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关特性。它们只需付出极小的努力，即可用于大多数需要高达180mA直流电流的应用，并且能够提供高达1A的脉冲电流。该产品特别适用于需要低电流高端开关的低压应用。
商品特性
- -0.18和 -0.12A，-60V。RDS(ON) = 10 Ω
- 电压控制的P沟道小信号开关
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 适用于通孔和表面贴装应用的TO-92和SOT-23封装
- 高饱和电流