商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO6415采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源（G-S）保护二极管
- 小型表面贴装封装（TSMT6）
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
- 开关应用