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QS8J2TR
2个P沟道 耐压:12V 电流:4A
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- 描述
- 应用：一般电子设备（如办公自动化设备、通信、消费系统、游戏/娱乐设备）
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS8J2TR
- 商品编号
- C3291343
- 商品封装
- TSMT-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 550mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.94nF@6V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 累积间距公差：生产载带的模具累积间距公差每10个间距应在±0.2mm以内
- 最小弯曲半径：载带应足够灵活，在最小半径30mm下能保护元件不受损坏
- 载带材料：聚苯乙烯两侧涂有特殊碳漆
- 剥离强度：0.1N～1.0N（产品存储超过推荐存储条件时）
- 推荐存储条件：温度5°C - 40°C，湿度30%RH - 80%RH
- 推荐存储时间：生产后五年
应用领域
- 一般电子设备（如AV/OA设备、通信、消费系统、游戏/娱乐设备）
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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