温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STO67N60M6

1个N沟道耐压:600V 电流:34A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、48 mOhm（典型值）、34 A MDmesh M6 功率 MOSFET
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STO67N60M6
商品编号: C3291321
商品封装: TO-LL
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步,应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。意法半导体(STMicroelectronics)通过其全新的M6技术,在MDmesh上一代器件的基础上进行了改进。该技术不仅显著提升了单位面积的RDS(ON)性能,还具备出色的开关特性,同时为用户带来便捷的使用体验,以实现终端应用的最高效率。

商品特性

降低开关损耗
与上一代产品相比,单位面积的RDS(ON)更低
栅极输入电阻低
100%雪崩测试
齐纳保护
高爬电距离封装
凭借额外的驱动源极引脚,具备出色的开关性能

应用领域

-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	34A
	导通电阻(RDS(on))	54mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	150W
	阈值电压(Vgs(th))	4.75V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	72.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.4nF
	反向传输电容(Crss)	2pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	280pF