温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STO67N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:34A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、48 mOhm（典型值）、34 A MDmesh M6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STO67N60M6
- 商品编号
- C3291321
- 商品封装
- TO-LL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
优惠活动
购买数量
(1800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐