温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STO67N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:34A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、48 mOhm（典型值）、34 A MDmesh M6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STO67N60M6
- 商品编号
- C3291321
- 商品封装
- TO-LL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
SQ2310ES采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积的RDS(ON)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 高爬电距离封装
- 凭借额外的驱动源极引脚,具备出色的开关性能
应用领域
-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器
相似推荐
其他推荐