AOTL66610
1个N沟道 耐压:60V 电流:61A 电流:350A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTL66610
- 商品编号
- C3291325
- 商品封装
- TOLLA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A；350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 272W；8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.625nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于直流到直流转换器、同步整流以及其他需要极低导通电阻（Rds(on)）的应用。
商品特性
- 105A、100V，VGS = 10V时，RDS(on) = 10mΩ
- 低栅极电荷（典型值为147nC）
- 低Crss（典型值为300pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值为175°C