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RQ5H030TNTL
1个N沟道 耐压:45V 电流:3A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小型表面贴装封装(TSMT3)。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ5H030TNTL
- 商品编号
- C3291326
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条纹DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
-低导通电阻-内置栅源保护二极管-小型表面贴装封装(TSMT3)
应用领域
-开关应用