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RQ5A020ZPTL
1个P沟道 耐压:12V 电流:2A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小型表面贴装封装（TSMT3）。 无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：负载开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ5A020ZPTL
- 商品编号
- C3291332
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.081克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源保护二极管
- 小型表面贴装封装(TSMT3)
- 引脚无铅镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 负载开关