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STO68N65DM6
1个N沟道 耐压:650V 电流:55A
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- 描述
- N沟道650 V、53 mOhm典型值、55 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-LL封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STO68N65DM6
- 商品编号
- C3291323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.528nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速系列相比,DM6结合了极低的恢复电荷(Qrr)、恢复时间(trr)和单位面积导通电阻(RDS(on))的显著改善,具备市场上最有效的开关性能之一,适用于要求苛刻的高效桥拓扑和ZVS移相转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
- 由于额外的驱动源引脚,具备出色的开关性能
应用领域
-开关应用