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FDB6035AL
1个N沟道 耐压:30V 电流:48A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB6035AL
- 商品编号
- C3291180
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
该器件采用了全新的先进沟槽MOSFET技术，在保持低导通电阻的同时，具备低栅极电荷的特性。该器件针对开关应用进行了优化，可提高DC/DC转换器的整体效率，并支持更高的开关频率运行。
商品特性
- 快速开关
- rDS(ON) = 0.0064 Ω（典型值），VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.010 Ω（典型值），VGS = 4.5 V
- 总栅极电荷Qg 24nC（典型值），VGS = 5 V
- 栅漏电荷Qgd（典型值）11nC
- 输入电容CISS（典型值）2600pF