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FDB6676

1个N沟道 耐压:30V 电流:84A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDB6676
商品编号
C3291183
商品封装
TO-263AB​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)84A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)93W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@5V
输入电容(Ciss)5.324nF
反向传输电容(Crss)384pF
工作温度-65℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)841pF

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) 导通电阻Ron × 栅极电荷Qg
  • 低有效电容 有效电容Co(er)
  • 降低开关和传导损耗
  • 雪崩能量额定 (UIS)

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF