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IXTA1N200P3HV
1个N沟道 耐压:2kV 电流:1A
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- 描述
- 特性：高阻断电压。 高压封装。 易于安装。 节省空间。 高功率密度。应用：高压电源。 电容放电应用
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTA1N200P3HV
- 商品编号
- C3291172
- 商品封装
- TO-263AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 646pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
全新的MDmesh M6技术整合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它将出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器