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2SK2225-80-E#T2
1500V-2A-MOS FET高速功率开关
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- 描述
- 特性：高击穿电压（V_DSS = 1500V）。 高速开关。 低驱动电流。 质量等级：标准
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2225-80-E#T2
- 商品编号
- C3291307
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.233333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
这些SuperMESH3™功率MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）SuperMESH™技术改进的成果，并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 栅极电荷最小化
- 极高的雪崩性能
- 100%雪崩测试
- 极低的本征电容
应用领域
- 开关应用
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