NP110N04PUK-E1-AY
1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP110N04PUK-E1-AY
- 商品编号
- C3291144
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 297nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 980pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.4nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的Qgd降低了通过Vplateau的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 开关电源-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理-或门/电子保险丝
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