2SK3479-Z-E1-AZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:83A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3479-Z-E1-AZ
- 商品编号
- C3291130
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@80V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
~~- N沟道-逻辑电平-增强型-具有晶闸管特性的温度传感器-漏极引脚与散热片电气短路
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