NP89N055PUK-E1-AY
1个N沟道 耐压:55V 电流:90A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP89N055PUK-E1-AY
- 商品编号
- C3291140
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品概述
RM18P100HDE采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -100 V，ID = -18 A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 100 mΩ（典型值：85 mΩ）
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠且耐用
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理-便携式设备和电池供电系统
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