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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SUM60020E-GE3

1个N沟道 耐压:80V 电流:150A

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描述
特性:沟槽式场效应管功率MOSFET。 最高结温175℃。 极低的Qgd可降低通过平台电压时的功率损耗。 100%进行Rg和UIS测试。应用:电源-二次同步整流。 DC/DC转换器
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SUM60020E-GE3
商品编号
C3291102
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
编带
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.47mΩ@7.5V
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)227nC@10V
输入电容(Ciss)10.68nF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低穿越平台电压(Vplateau)时的功率损耗
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

-电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理-或门(OR-ing)/电子保险丝(e-fuse)

数据手册PDF