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IXFA8N65X2
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFA8N65X2
- 商品编号
- C3291120
- 商品封装
- TO-263(D2Pak)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
本产品是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 超低导通电阻：漏源导通电阻（RDS(on)）最大为17.0 mΩ（栅源电压（VGS）=-10 V，漏极电流（ID）=-18 A）
- 漏源导通电阻（RDS(on)）最大为23.5 mΩ（栅源电压（VGS）=-4.5 V，漏极电流（ID）=-18 A）
- 低输入电容：输入电容（Ciss）典型值为2800 pF
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 无铅（本产品外部电极不含铅）
应用领域
-汽车领域