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SIHFPS40N60K-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:40A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷 Qg 导致简单的驱动要求。改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容、雪崩电压和电流。增强的体二极管 dV/dt 能力。应用：硬开关初级或 PFC 开关。开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFPS40N60K-GE3
- 商品编号
- C3291243
- 商品封装
- TO-274AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 570W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 330nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.97nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如DC/DC转换器和高效开关电路，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 增强了体二极管的dV/dt能力
应用领域
-硬开关原边或PFC开关-开关模式电源(SMPS)-不间断电源-高速功率开关-电机驱动