2N6767
1个N沟道 耐压:350V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- 2N6767
- 商品编号
- C3291260
- 商品封装
- TO-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
2N6767和2N6768是n沟道增强型硅栅功率MOS场效应晶体管,适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器,以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。 这些型号采用JEDEC TO - 204AA钢制封装。
商品特性
- 12A和14A,350V - 400V
- r\mathsfDS(on) = 0.4Ω和0.3Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关
相似推荐
其他推荐