RFM12P08
1个P沟道 耐压:80V 电流:12A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFM12P08
- 商品编号
- C3291253
- 商品封装
- TO-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如DC/DC转换器和高效开关电路，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- -12A、-80V和-100V
- rDS(on) = 0.3Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件