RFM12P08
1个P沟道 耐压:80V 电流:12A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFM12P08
- 商品编号
- C3291253
- 商品封装
- TO-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1000uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如DC/DC转换器和高效开关电路，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 33 A，30 V。在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.022 Ω；在栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.036 Ω。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高密度单元设计实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 最高结温额定值为175°C。