商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 14A和13A,275V和250V
- rDS(ON) = 0.28Ω和0.34Ω
- 单脉冲雪崩能量额定,安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 275V、250V直流额定 - 120V交流线路系统运行
应用领域
- 高效开关电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器