IRF233
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻RDS(ON) = 2.0 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：正向传输导纳幅值|Y_fs| = 4.5 S（典型值）
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流IDSS = 100 μA（最大值）（漏源电压VDS = 720 V时）
- 增强型：阈值电压V_th = 2.0至4.0 V（漏源电压VDS = 10 V且漏极电流ID = 1 mA时）