SQM120N10-09_GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM120N10-09_GE3
- 商品编号
- C3291088
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.645nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 795pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
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