IXTA120P065T-TRL
1个P沟道 耐压:65V 电流:120A
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTA120P065T-TRL
- 商品编号
- C3291087
- 商品封装
- TO-263(D2Pak)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,60A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 298W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.2nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
该器件采用了先进的新型沟槽 MOSFET 技术，在保持低导通电阻的同时具备低栅极电荷的特性。该器件针对开关应用进行了优化，可提高 DC/DC 转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下工作。
商品特性
- 快速开关
- 漏源导通电阻 (rDS(ON)) = 0.058 Ω（典型值），栅源电压 (VGS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 9 A
- 漏源导通电阻 (rDS(ON)) = 0.090 Ω（典型值），栅源电压 (VGS) = 4.5 V，漏极电流 (ID) = 6 A
- 总栅极电荷 (Qg(TOT))（典型值）= 2.6 nC，栅源电压 (VGS) = 5 V
- 栅漏电荷 (Qgd)（典型值）= 0.8 nC
- 输入电容 (CISS)（典型值）= 255 pF
应用领域
-DC/DC 转换器