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SQM50020EL_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM50020EL_GE3
- 商品编号
- C3291079
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、增强型器件设计、低导通电阻和高性价比等特性的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
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